型號: | CM300DY12E |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 300A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 300?我(丙) |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 47K |
代理商: | CM300DY12E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CM300E3Y12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
CM300HA12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 300A I(C) |
CM300HA24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
CM300HA24H | |
CM300HA28 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 300A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CM300DY-12E | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
CM300DY-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM300DY12NF | 制造商:Powerex 功能描述:24 hours to ship (or special charge) |
CM300DY-12NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM300DY-12NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |