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參數資料
| 型號： | CM50DY28 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.4KV五（巴西）國際消費電子展| 50A條一（c） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | CM50DY28 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM50E3Y12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
| CM50E3Y24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| CM520820 | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|200A I(T) |
| CM521620 | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.6KV V(RRM)|200A I(T) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM50DY-28H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 50A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM50E3U-24H | 功能描述:IGBT MOD CHOP 1200V 50A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM50E3U-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM50E3Y12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
| CM50E3Y24E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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