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參數(shù)資料
型號: CM600E2Y34H
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.7KV五(巴西)國際消費電子展| 601余(丙)
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 109K
代理商: CM600E2Y34H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM600HA12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 600A I(C)
CM600HA24E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
CM600HA28 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 600A I(C)
CM601 Analog IC
CM602 Analog IC
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參數(shù)描述
CM600E2Y-34H 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM600E2Y-34H_03 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600E3U-12NFH 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NFH 600A 600V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 600V, 600A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:1.42kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Min:-40C ;RoHS Compliant: Yes
CM600HA12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 600A I(C)
CM600HA-12H 功能描述:IGBT MOD SGL 600V 600A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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