型號(hào): | CM600HU-24F |
廠商: | POWEREX INC |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Amperes/1200 Volts |
中文描述: | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-4 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 67K |
代理商: | CM600HU-24F |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CM600HU-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HU-24H | Single IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts |
CM6800 | LOW START UP CURRENT PFC/PWM CONTROLLER COMBO |
CM6801 | LOW START UP CURRENT PFC/PWM CONTROLLER COMBO |
CM6900G | LAMP,#60PSB,INCANDESCENT T-2,60.00V,.050A,2200MSCP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CM600HU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600HU-24H | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM600HU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HX-12A | 功能描述:IGBT MOD SGL 600V 600A NX SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM600HX-24A | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A NX SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™, NX 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |