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參數資料
| 型號： | CM75BU-12H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 大功率開關使用絕緣型 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | CM75BU-12H |
Sep.1998
Dimensions
Inches
Millimeters
A
2.83
72.0
B
2.17
±
0.01
55
±
0.25
C
3.58
91.0
D
2.91
±
0.01
74.0
±
0.25
E
0.43
11.0
F
0.79
20.0
G
0.69
17.5
H
0.75
19.1
J
0.39
10.0
K
0.41
10.5
L
0.05
1.25
Dimensions
Inches
Millimeters
M
0.74
18.7
N
0.02
0.5
P
1.55
39.3
Q
0.63
16.0
R
0.57
14.4
S
0.22 Dia.
5.5 Dia.
T
0.32
8.1
U
1.02
26.0
V
0.59
15.0
W
0.20
5.0
X
1.61
41.0
Description:
Mitsubishi IGBT Modules are de-
signed for use in switching applica-
tions. Each module consists of four
IGBTs in an H-Bridge configura-
tion, with each transistor having a
reverse-connected super-fast re-
covery free-wheel diode. All com-
ponents and interconnects are iso-
lated from the heat sinking base-
plate, offering simplified system
assembly and thermal manage-
ment.
Features:
u
Low Drive Power
u
Low V
CE(sat)
u
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
u
High Frequency Operation
u
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
u
AC Motor Control
u
Motion/Servo Control
u
UPS
u
Welding Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM75BU-12H is a
600V (V
CES
), 75 Ampere Four-
IGBT Module.
Current Rating
Amperes
V
CES
Volts (x 50)
Type
CM
75
12
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM75BU-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Outline Drawing and Circuit Diagram
E
E
H
R
GuN
EuN
GvN
EvN
GuP
EuP
U
V
GvP
EvP
G
F
P
B
D
J
C
M
L
L
S(4 - Mounting
Holes)
4 - M4 NUTS
TAB#110 t=0.5
Q
J
N
K
G
F
E
H
V
W
V
U
X
T
A
GuP
EuP
GuN
EuN
U
P
N
GvP
EvP
GvN
EvN
V
T
C
Measured
Point
T
Measured
Point
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75BU-12H | Four IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts |
| CM75DU-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75DU-12H | Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts |
| CM75DU-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75DU-24H | Dual IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM75BU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75DU-12F | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 75A F SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 75A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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