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參數資料
| 型號： | CM800E2Z-66H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述： | 大功率開關使用 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | CM800E2Z-66H |
Mar. 2003
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800E2Z-66H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
G
I
C...................................................................
800A
G
V
CES .......................................................
3300V
G
Insulated Type
G
1-elements in a pack (for brake)
APPLICATION
DC choppers, Dynamic braking choppers.
CM800E2Z-66H
HVIGBT MODULES (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor Modules)
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
CIRCUIT DIAGRAM
A
K
(E)
(C)
E
E
C
C
E
G
C
LABEL
C
E
G
C
E
CM
E
E
C
C
2
5
13
61.5
61.5
1
1
0
4
79.4
20.25
41.25
57
±
0.25
171
190
5.2
40
15
57
±
0.25
57
±
0.25
2
2
3 - M4 NUTS
8 -
φ
7MOUNTING HOLES
6 - M8 NUTS
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM800HA-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM800HA-24H | Single IGBTMOD 800 Amperes/1200 Volts |
| CM82C54 | CMOS Programmable Interval Timer |
| CM82C54-10 | CMOS Programmable Interval Timer |
| CM82C54-12 | CMOS Programmable Interval Timer |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM800E6C-66H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM800HA24H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) |
| CM800HA-24H | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM800HA28H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 800A I(C) |
| CM800HA-28H | 功能描述:IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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