型號: | CMBT2222A-T |
廠商: | RECTRON LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
中文描述: | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOT-23, 3 PIN |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 75K |
代理商: | CMBT2222A-T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CMBT2907A-T | |
CMBT8050 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050C | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050D | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
CMBT8050E | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CMBT2222AT/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT2369 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.5A,15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT2369-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT2369T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT2484 | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |