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參數(shù)資料
| 型號： | CMBT3905 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅外延晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | CMBT3905 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
P–N–P transistor
Marking
CMBT3905 = 2Y
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation up to T
amb
= 60 °C
D.C. current gain
–I
C
= 10 mA; –V
CE
= 1 V
Transition frequency at f = 100 MHz
–I
C
= 10 mA; –V
CE
= 20 V
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
max.
max.
max.
max.
max.
40 V
40 V
5 V
200 mA
250
mW
h
FE
50 to 150
f
T
min.
200
MHz
CMBT3905
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
SOT-23 Formed SMD Package
Continental Device India Limited
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBT3906 | SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| CMBT5551 | SILICON NPN HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMBT6520 | HIGH?VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMBT847 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| CMBT857 | PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CMBT3906 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT3906E | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMBT3906E TR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT3906-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.2A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT3906T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.2A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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