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參數資料
| 型號： | CMBTA56 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至236AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | CMBTA56 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
P–N–P transistor
Marking
CMBTA55 = 2H
CMBTA56 = 2G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
CMBT A 55
max.
max.
max.
max.
A 56
80 V
80 V
V
Collector–base voltage (open emitter)
Collector–emitter voltage (open base)
Emitter–base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation up to T
amb
= 25 °C
D.C. current gain
–I
C
= 100 mA; –V
CE
= 1 V
Transition frequency at f = 100 MHz
–I
C
= 100 mA; –V
CE
= 1 V
Collector–emitter saturation voltage
–I
C
= 100 mA; I
B
= 10 mA
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
60
60
4
500
250
mA
mW
h
FE
min.
100
f
T
min.
50
MHz
V
CEsat
max.
0.25
V
CMBTA55
CMBTA56
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
2
1
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBTA05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBTA06 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBTA14 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300MA I(C) | TO-236AA |
| CMBTA55 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBTA92 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMBTA56-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA56T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Darlington Trans PNP,0.5A,300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA92-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 300V GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA92T/-W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.5A 300V GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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