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參數(shù)資料
型號: CMF20120D
廠商: Cree Inc
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
產品培訓模塊: 1200V SiC Mosfet Overview
視頻文件: Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
標準包裝: 30
系列: Z-FET™
FET 型: SiCFET N 通道,碳化硅
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 33A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫歐 @ 20A,20V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1915pF @ 800V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應商設備封裝: TO-247-3
包裝: 管件
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