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參數資料
| 型號： | CMPT3906 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | CMPT3906 |
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
CMPT3904
60
40
6.0
CMPT3906
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
200
350
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPT3904
MIN
CMPT3906
MIN
SYMBOL
ICEV
IBL
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
MAX
50
50
MAX
50
50
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
60
40
6.0
40
40
5.0
0.20
0.30
0.85
0.95
0.25
0.40
0.85
0.95
0.65
0.65
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
300
300
CMPT3904 NPN
CMPT3906 PNP
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R4 (26-September 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3904,
CMPT3906 types are complementary silicon
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for small signal general
purpose amplifier and switching applications.
MARKING CODES:
CMPT3904: C1A
CMPT3906: C2A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMPT4401 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPT4401NPN | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPT4403 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPT4403PNP | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPT591 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMPT3906 TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPT Series 40 V 200 mA PNP Surface Mount Silicon Transistor - SOT-23 |
| CMPT3906E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Enhanced Complimentary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMPT3906G | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPT3906G TR | 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 |
| CMPT3906GTR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Halogen Free RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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