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參數資料
| 型號： | CMS-S060-060 |
| 廠商： | Champion Microelectronic Corp. |
| 英文描述： | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 中文描述： | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | CMS-S060-060 |
CMS-S050-040
S
CHOTTKY
B
ARRIER
D
IODE
2002/04/24
Rev. 1
Champion Microelectronic Corporation
Page 1
Chip size(A):
1.270 * 1.270 mm
2
Bond Pad
size(B) :
1.143 *1.143 mm
2
Thickness :
300
μ
m
±
20
μ
m
Metalization :
Anode Ti/Ni/Ag
Features :
* Extremely low forward volts
* Guard ring protection
* Low reverse leakage current
A
Metalization :
Cathode Ti/Ni/Ag
Electrical Characteristics
Sym.
Spec. Limit
Unit
Maximum Instantaneous Forward Volt
at IF : 2.0Amp. 25
°
C
VF max
0.48
Volt
Minimum Instantaneous Reverse Voltage
at IR : 200 uA 25
°
C
VR min.
43
Volt.
Minimum Non-repetitive Peak Surge current at 25
°
C
IFSM
60
Amp
Storage Temperature
TSTG
-65 to +125
°
C
HsinChu Headquarter
5F, No. 11, Park Avenue II,
Science-Based Industrial Park,
HsinChu City, Taiwan
TEL:
+886-3-567 9979
FAX:
+886-3-567 9909
Sales & Marketing
11F, No. 306-3, SEC. 1, Ta Tung Road,
Hsichih, Taipei Hsien 221, Taiwan
TEL:
FAX:
+886-2-8692 1591
+886-2-8692 1596
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMS-S072-040 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMS-S087-040 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMS-S087-060 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMT01N60 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| CMT01N60GN251 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMS-S072-040 | 制造商:CHAMP 制造商全稱:CHAMP 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMS-S072-060 | 制造商:CHAMP 制造商全稱:CHAMP 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMS-S087-040 | 制造商:CHAMP 制造商全稱:CHAMP 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMS-S087-060 | 制造商:CHAMP 制造商全稱:CHAMP 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| CMSSH-3 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 _ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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