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參數資料
型號: CP517
英文描述: BJT
中文描述: 雙極型晶體管
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 61K
代理商: CP517
PROCESS
Power Transistors
PNP - Darlington Chip
PRINCIPAL DEVICE TYPES
PROCESS
DIE SIZE
DIE THICKNESS
BASE BONDING PAD AREA
EMITTER BONDING PAD AREA
TOP SIDE METALIZATION
BACK SIDE METALIZATION
49
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Phone
(631) 435-1110
Fax
(631) 435-1824
www.centralsemi.com
PROCESS DETAILS
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GEOMETRY
Central
Semiconductor Corp.
TM
CP517
EPITAXIAL BASE
111 X 111 MILS
9 MILS
20 X 12 MILS
20 X 20 MILS
Al - 30,000
Au/Cr/Ni/Au-Ni-6,000; Au-6,000
2N6040
2N6041
2N6042
2N6299
BACKSIDE COLLECTOR
E
B
20
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PDF描述
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CPW255P TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 9.5A I(D)
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