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參數資料
型號: CPC5602C
廠商: IXYS Integrated Circuits Division
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
標準包裝: 200
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 350V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 5mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 歐姆 @ 50mA,350mV
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 300pF @ 0V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 管件
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