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參數資料
型號: CQ202-4M2
英文描述: TRIAC|600V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-202VAR
中文描述: 可控硅| 600V的五(DRM)的| 4A條口(T)的有效值|到202VAR
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 74K
代理商: CQ202-4M2
CQ202-4M
CQ202-4N
4.0 AMP TRIAC
600 THRU 800 VOLTS
TO-202 THYRISTOR CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R4 (7-May 2004)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4M
series type is an Epoxy Molded Silicon Triac
designed for full wave AC control applications
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
CQ202
-4M
CQ202
-4N
UNITS
Peak Repetitive Off-State Voltage
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I
2
t
600
800
V
RMS On-State Current (TC=80°C)
Peak One Cycle Surge (t=10ms)
I
2
t Value for Fusing (t=10ms)
4.0
A
40
A
2.4
A
2
s
Peak Gate Power (tp=10μs)
PGM
PG(AV)
IGM
Tstg
TJ
Θ
JA
Θ
JC
3.0
W
Average Gate Power Dissipation
0.2
W
Peak Gate Current (tp=10μs)
1.2
A
Storage Temperature
-40 to +150
°C
Junction Temperature
-40 to +125
°C
Thermal Resistance
60
°C/W
Thermal Resistance
7.5
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Rated VDRM, RGK=1K
Rated VDRM, RGK=1K
,
TC=125°C
VD=12V, QUAD I, II, III
VD=12V, QUAD IV
RGK=1K
VD=12V, QUAD I, II, III
VD=12V, QUAD IV
ITM=6.0A, tp=380μs
VD=
2
/
3
VDRM,TC=125°C
MIN
TYP
MAX
UNITS
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VGT
VTM
dv/dt
10
μA
200
μA
6.6
20
mA
35
50
mA
5.2
25
mA
1.1
1.5
V
2.0
2.5
V
1.25
1.60
V
5.0
V/μs
相關PDF資料
PDF描述
CQ202-4MS2 TRIAC|600V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-202VAR
CQ202-4N2 TRIAC|800V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-202VAR
CQ202-4NS2 TRIAC|800V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-202VAR
CQ202-4N 4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
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相關代理商/技術參數
參數描述
CQ202-4M-2 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
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