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參數資料
型號: CSA1162GR(G)-3F
廠商: Continental Device India Limited
英文描述: LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR
中文描述: 低頻通用放大器晶體管
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 56K
代理商: CSA1162GR(G)-3F
Continental Device India Limited
Data Sheet
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LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTOR
P-N-P transistor
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Total power dissipation at T
amb
= 25°C
Junction temperature
D.C. current gain
–I
C
= 2 mA; –V
CE
= 6V
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
max.
50 V
50 V
5 V
150 mA
150 mW
150 ° C
h
FE
min.
max.
70
400
RATINGS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (d.c.)
Base current
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
–I
B
max.
max.
max.
max.
max.
50 V
50 V
5 V
150 mA
30 mA
CSA1162
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
Marking
CSA1162Y–3E
CSA1162GR(G)–3F
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
SOT-23 Formed SMD Package
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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CSA1220A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-126
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