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參數(shù)資料
| 型號： | CSB507C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | CSB507C |
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
CSB507
CSD313
Low frequency Power Amplifier Applications
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 2A; I
B
= 0.2A
D.C. current gain
I
C
= 1A; V
CE
= 2V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
60 V
60 V
3.0 A
30 W
150 °C
V
CEsat
max.
1.0 V
h
FE
min
max.
40
320
RATINGS
(at T
A
=25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
V
CBO
V
CEO
V
EBO
max.
max.
max.
60 V
60 V
5.0 V
CSB507, CSD313
PIN CONFIGURATION
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
B
1 2
3
J
M
G
D
H
A
O
O
K
N
L
F
E
C
DIM
MIN.
MAX.
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
14.42
9.63
3.56
16.51
10.67
4.83
0.90
1.40
3.88
2.79
3.43
0.56
14.73
4.07
2.92
31.24
1.15
3.75
2.29
2.54
12.70
2.80
2.03
DEG 7
1
2
3
4
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
TO-220 Plastic Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSB507D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| CSB507E | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| CSB507F | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| CSD313D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| CSD313E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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