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參數資料
型號: CSB621Q
英文描述: BJT
中文描述: 雙極型晶體管
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 48K
代理商: CSB621Q
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
CSB621, CSB621A
TO-92
Plastic Package
AF Output Amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25oC)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Peak
Collector Current
Power Dissipation @ T
a
=25oC
Junction Temperature
SYMBOL CSB621
V
CEO
25
V
CBO
30
V
EBO
I
CP
I
C
*P
C
T
j
stg
T
UNITS
V
V
V
A
A
mW
5.0
1.5
1.0
750
150
oC
Storage Temperature Range
oC
*P
C
=600mW/Potting type: P
C
=600mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Cut off Current
Collector Base Voltage
SYMBOL
I
CBO
V
CBO
TEST CONDITION
V
CB
=20V, I
E
= 0
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
CSB621
CSB621A
I
C
=2mA, I
B
=0
CSB621
CSB621A
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=500mA
V
CE
=5V, I
C
=1A
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=50mA, V
CE
=10V
I
E
=0, V
CB
=10V,f=1MHz
MIN
TYP
MAX
0.1
UNITS
μ
A
30
60
V
V
Collector Emitter Voltage
V
CEO
25
50
5
85
50
V
V
V
Emitter Base Voltage
DC Current Gain
V
EBO
*h
FE
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
340
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Output Capacitance
0.4
1.2
V
V
200
MHz
pF
30
*h
FE
Classifications
Q : 85 - 170 R : 120 - 240 S : 170 - 340
CSB621A
50
60
ECB
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L-000019.3
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料
PDF描述
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CSC1684Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
CSC1684R TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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參數描述
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