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參數資料
| 型號： | CSC3619 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至126 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | CSC3619 |
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSC3619
TO-126
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector -Base Voltage
Collector -Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation @ Ta=25 deg C
Collector Power Dissipation @ Tc=45 deg C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Ptot
Tj
Tstg
300
300
5.0
100
1.5
10
150
V
V
V
mA
W
W
deg C
deg C
-55 to +150
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient
Junction to Case
Rth (j-a)
Rth (j-c)
83.3
10.5
K/W
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut off Current
DC Current Gain
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Dynamic Characteristics
Collector Output Capacitance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
hFE
VCE(Sat) IC=10mA,IB=1mA
VBE(Sat) IC=10mA,IB=1mA
TEST CONDITION
IC=0.1A, IE=0
IC=10mA, IB=0
IE=1mA, IC=0
VCB=240V, IE=0
IC=20mA, VCE=10V
MIN
300
300
5.0
-
30
-
-
TYP
-
-
-
-
-
-
-
MAX
-
-
-
1.0
200
1.0
1.0
UNIT
V
V
V
uA
V
V
Cob
VCB=30V, IE=0
f=1MHz
VCE=10V, IC=20mA
-
3.0
-
pF
Transition Frequency
ft
50
-
-
MHz
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSC383TM | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
| CN303 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | TO-92 |
| CN304 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | TO-92 |
| CN452 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| CN453 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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