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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CSD1306D |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | CSD1306D |
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CSD1306
(SAW)
SOT-23
Formed SMD Package
Marking
CSD1306E=06
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Collector Current Peak
Power Dissipation @ T
a
=25oC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
UNITS
V
V
V
mA
A
mW
T
j,
T
stg
oC
Electrical Characterstics (T
a
=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut off Current
Emitter Cut off Current
Base Emitter On Voltage
Collector Emitter Saturation
Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE (on)
CONDITIONS
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1
μ
A, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=150mA
MIN
30
15
5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
V
1.0
1.0
1.0
V
CE (sat)
I
C
=500mA, I
B
=50mA
0.5
V
h
FE
f
T
C
ob
C
ib
V
CE
=1V, I
C
=150mA
V
CE
=1V, I
C
=150mA,
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, I
C
=0, f=1MHz
250
1200
250
MHz
pF
pF
10
100
h
FE
Classification
CSD1306ERev_3 300103E
D : 250 - 500 E : 300 - 800 F : 600 -1200
1
VALUE
30
15
5
700
200
- 55 to +150
PIN CONFIGURATION (NPN)
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
2
1
3
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L-000019.3
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSD1306E | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| CSD1306F | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| CSD1489 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| CSB1058 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| CSD655 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSD1306E | 制造商:RECTRON 制造商全稱:Rectron Semiconductor 功能描述:SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons |
| CSD1306F | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| CSD1314 | 制造商:C&K Components 功能描述: |
| CSD13201W10 | 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CSD13202Q2 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:12V N-Channel NexFETa?￠ Power MOSFETs |
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