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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CSD1506Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至126 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | CSD1506Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSD1506R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| CSD1563 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD1563A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD1563AN | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| CSD1563AP | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSD1506R | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR |
| CSD1515 | 制造商:C&K Components 功能描述: |
| CSD15380F3 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CSD15380F3T | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CSD15571Q2 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商:Texas Instruments 功能描述:20v-20v version of the 17571 |
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