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參數(shù)資料
型號: CT35SM-8
廠商: POWEREX INC
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: STROBE FLASHER USE
中文描述: 200 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-3P
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 34K
代理商: CT35SM-8
Feb.1999
V
CES ................................................................................
400V
I
CM ....................................................................................
200A
CT35SM-8
450
10
±
0.1
7.0
I
C
= 1mA, V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±
40V, V
CE
= 0V
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA
V
(BR)CES
I
CES
I
GES
V
GE(th)
400
±
30
±
40
200
–40 ~ +150
–40 ~ +150
V
V
V
A
°
C
°
C
V
CES
V
GES
V
GEM
I
CM
T
j
T
stg
V
μ
A
μ
A
V
OUTLINE DRAWING
Dimensions in mm
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
CT35SM-8
STROBE FLASHER USE
APPLICATION
Strobe Flasher.
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V, See notice 4
V
CE
= 0V, tw = 0.5s
See figure 1
Parameter
Conditions
Symbol
Ratings
Unit
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulsed)
Junction temperature
Storage temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj = 25
°
C)
Symbol
Unit
Parameter
Test conditions
Limits
Typ.
Min.
Max.
MAXIMUM RATINGS
(Tc = 25
°
C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter leakage current
Gate-emitter leakage current
Gate-emitter threshold voltage
TO-3P
15.9MAX.
4.5
1.5
φ
3.2
5
2
1
2
1.0
5.45
4.4
0.6
2.8
q
w
e
5.45
2
4
4
r
q
GATE
w
COLLECTOR
e
EMITTER
r
COLLECTOR
w r
q
e
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PDF描述
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