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參數資料
| 型號： | CXT3150 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 25V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | CXT3150 |
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3150
type is a NPN Silicon Power Transistor manu-
factured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed
for high current, high gain, fast switching appli-
cations.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
UNITS
V
V
V
A
A
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
50
25
7.0
5.0
1.0
1.2
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
104
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=50V
VEB=7.0V
IC=10mA
IC=3.0A, IB=150mA
IC=4.0A, IB=200mA
IC=3.0A, IB=150mA
IC=4.0A, IB=200mA
VCE=2.0V, IC=500mA
VCE=2.0V, IC=2.0A
VCE=2.0V, IC=5.0A
VCE=6.0V, IC=50mA, f=200MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
MIN
TYP
MAX
1.0
1.0
UNITS
μA
μA
V
V
V
V
V
25
0.35
0.50
1.10
1.40
550
250
150
50
150
MHz
pF
50
CXT3150
SURFACE MOUNT
NPN POWER TRANSISTOR
SOT-89 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R2 ( 17December 2001)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXT491E | BJT |
| CXTA44 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-243 |
| CY100E301-3.5DC | Fuse-Programmable PLD |
| CY100E301-3.5KC | Fuse-Programmable PLD |
| CY100E301-3.5YC | Fuse-Programmable PLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CXT3150_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| CXT32SI10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Serial-IP SOC |
| CXT32SI12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Serial-IP SOC |
| CXT32SI14 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Serial-IP SOC |
| CXT32SI16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Serial-IP SOC |
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