型號: | CY7C1231H |
廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
英文描述: | 2-Mbit (128K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
中文描述: | 2兆位(128K的× 18)流量通過與總線延遲⑩結構的SRAM |
文件頁數: | 1/12頁 |
文件大小: | 515K |
代理商: | CY7C1231H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1231H-133AXC | 2-Mbit (128K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C1231H-133AXI | 2-Mbit (128K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C128A-15PC | 2K x 8 Static RAM |
CY7C128A-20DMB | 2K x 8 Static RAM |
CY7C128A-25LMB | 2K x 8 Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CY7C1231H-133AXC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 128KX18 NoBL FT 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C123-7VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 256x4, 24 Pin, Plastic, SOJ |
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CY7C1243KV18-450BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C12451KV18-400BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |