型號: | CY7C141-15NC |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 1K x 8 Dual-Port Static Ram |
中文描述: | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP52 |
封裝: | PLASTIC, QFP-52 |
文件頁數: | 1/16頁 |
文件大小: | 305K |
代理商: | CY7C141-15NC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1312AV18 | 18-Mb QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結構)) |
CY7C1312BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結構)) |
CY7C1327F-100AC | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
CY7C1327F-225AC | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
CY7C1327F-225AI | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CY7C1411BV18-250BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411KV18-250BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411KV18-300BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1411SV18-250BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 NV靜態隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |