型號: | CY7C141-55NI |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 1K x 8 Dual-Port Static Ram |
中文描述: | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP52 |
封裝: | PLASTIC, QFP-52 |
文件頁數: | 1/16頁 |
文件大小: | 306K |
代理商: | CY7C141-55NI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1410AV18 | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1410AV18-167BZC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1410AV18-200BZC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1410AV18-250BZC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1412AV18 | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CY7C1415AV18-167BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1415AV18-167BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.5NS 165FBGA - Bulk |
CY7C1415AV18-200BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1415AV18-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
CY7C1415AV18-200BZI | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |