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參數資料
| 型號： | CY7C199C-12VC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32K x 8 Static RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, MO-088, SOJ-28 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | CY7C199C-12VC |
32K x 8 Static RAM
CY7C199C
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-05408 Rev. *A
3901 North First Street
San Jose
,
CA 95134
408-943-2600
Revised September 11, 2003
Features
Fast access time: 12 ns, 15 ns, 20 ns, and 25 ns
Wide voltage range: 5.0V ± 10% (4.5V to 5.5V)
CMOS for optimum speed/power
TTL–compatible Inputs and Outputs
Available in 28 DIP, 28 SOJ, and 28 TSOP I.
2.0V Data Retention
Low CMOS standby power
Automated Power–down when deselected
General Description
1
The CY7C199C is a high–performance CMOS Asynchronous
SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an
asynchronous memory interface. The device features an
automatic power–down feature that significantly reduces
power consumption when deselected.
See the Truth Table in this datasheet for a complete
description of read and write modes.
The CY7C199C is available in 28 DIP, 28 SOJ, and 28 TSOP
I package(s).
Product Portfolio
Notes:
1. For best–practices recommendations, please refer to the Cypress application note
System Design Guidelines
on www.cypress.com.
12 ns
12
85
500
15 ns
15
80
500
20 ns
20
75
500
25 ns
25
75
500
Unit
ns
mA
uA
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
(low power)
R
RAM Array
Column Decoder
Input Buffer
S
A
X
Power
Down
Circuit
I/Ox
OE
WE
CE
X
Logic Block Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C199C-12VI | 32K x 8 Static RAM |
| CY7C199C-12ZC | 32K x 8 Static RAM |
| CY7C199C-15PC | 32K x 8 Static RAM |
| CY7C199C-15VC | 32K x 8 Static RAM |
| CY7C199C-15VI | 32K x 8 Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C199C-12VI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C199C-12VXC | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C199C-12VXCT | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C199C-12VXI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C199C-12ZC | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
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