型號(hào): | CY7C421-20JI |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
中文描述: | 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PQCC32 |
封裝: | PLASTIC, LCC-32 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/21頁(yè) |
文件大小: | 682K |
代理商: | CY7C421-20JI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
CY7C421-25PI | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
CY7C421-30DMB | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
CY7C421-30JI | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
CY7C421-30PC | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
CY7C421-40VC | 256/512/1K/2K/4K x 9 Asynchronous FIFO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
CY7C421-20JXC | 功能描述:先進(jìn)先出 512x9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
CY7C421-20JXCT | 功能描述:先進(jìn)先出 512x9 .300" PARALLEL CASCADEABLE 先進(jìn)先出 COM RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
CY7C421-20JXI | 功能描述:先進(jìn)先出 512Bx9 5V 4Kb UNIDIR ASYNCH 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
CY7C421-20PC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 512 x 9 28-Pin PDIP |
CY7C421-20VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 512 x 9 28-Pin SOJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:512 X 9 28 PIN .300 PARALLEL-CASCADEABLEFIFO " - Bulk |