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參數資料
| 型號： | CZT127 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|進步黨| 100V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | CZT127 |
527
Central
TM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CZT250K | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
| CZT2680 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-223 |
| CZTA77 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 1A I(C) | SOT-223 |
| CZTA94 | BJT |
| G24-13-SNDDC24V | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CZT127 BK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR XISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CZT127 TR | 功能描述:達林頓晶體管 PNP BIPOLAR XISTOR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| CZT2000 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP Silicon Extremely High Voltage Darlington Transistor |
| CZT2000_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| CZT2222 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
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