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DDTC114GE-FDI

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DDTC114GE-FDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
DIODES
SOT-523
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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您是不是要找： DDTC114GKA-7-F DDTC114GUA-7 DDTC114GUA-7-F DDTC114TCA-7 DDTC114TCA-7-F DDTC114TE-7 DDTC114TE-7-F DDTC114TKA-7-F DDTC114TUA-7

DDTC114GE-FDI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DDTC114GE-FDI 技術參數

DDTC114GE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:- 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:3,000 DDTC113ZE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:3,000 DDTC113TUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTC113TCA-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 DDTB142TC-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 DDTC114TUA-7-F DDTC114WCA-7 DDTC114WCA-7-F DDTC114WE-7 DDTC114WE-7-F DDTC114WKA-7-F DDTC114WUA-7 DDTC114WUA-7-F DDTC114YCA-7 DDTC114YCA-7-F DDTC114YE-7 DDTC114YE-7-F DDTC114YKA-7-F DDTC114YLP-7 DDTC114YUA-7 DDTC114YUA-7-F DDTC115ECA-7 DDTC115ECA-7-F