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DDU-50P-BF-A176

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制造商
ITT Interconnect Solutions
功能描述
DDU-50P-BF-A176 - Bulk

DDU-50P-BF-A176 技術參數

DDU50P 功能描述:DSUB 50 M CRIMP G ZINC 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 DDTD142TU-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 DDTD142TU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTD142TC-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 DDTD142JU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:56 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDU50SBF DDU50SBFA176 DDU50SBFA197 DDU50SF0 DDU50SF225 DDU-50SF-F0 DDU50SFO DDU50ST DDU50STFO DDUE50P DDUE50S DDUE50SA197F0 DDUE50SF0 DDUF50P DDUF50S DDUF50SF0 DDUH-50P DDUH-50S