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DFE252012R-H-1R0M=P2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252012R-H-1R0M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
TOKO
SMD
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

DFE252012R-H-1R0M=P2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
62548
Murata Electronics
-
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

DFE252012R-H-1R0M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共3條
1

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DFE252012R-H-1R0M=P2 PDF下載

功能描述
1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012R
包裝
*
零件狀態
新產品
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
1μH
容差
±20%
額定電流
3.1A
電流 - 飽和值
3.4A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
49 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
*
封裝/外殼
*
大小/尺寸
*
高度 - 安裝（最大值）
*
標準包裝
1

DFE252012R-H-1R0M=P2 技術參數

DFE252012P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 37 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3.5A 電流 - 飽和值:4.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:37 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252012P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 27 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:5.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 6.6A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:6.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:23 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012PD-1R0M=P2 功能描述:FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012PD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:金屬電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:3.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）供應商器件封裝:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012P-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 200 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3 DFEG12060D-6R8M=P3 DFEG12060D-8R2M=P3 DFEG7030D-100M=P3 DFEG7030D-150M=P3