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DMN3032LFDB-7

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • DIODES INCORPORATED

  • con

  • 24+

  • -
  • 場效應管

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • UDFN20206

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室

    資質:營業執照

  • 0

  • DIODES INCORPORATED

  • con

  • 24+

  • -
  • 場效應管

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人:許先生

    電話:18898761413

    地址:華強北都會軒4507

    資質:營業執照

  • 30000

  • DIODES/美臺

  • U-DFN2020-6

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
DMN3032LFDB-7 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
DMN3032LFDB-7 技術參數
  • DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.21A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):470mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 900mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標準包裝:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 NPN(雙)配對 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:3,000 DMM-B-44/100 功能描述:FUSE CARTRIDGE 440MA 1KVAC/VDC 制造商:eaton 系列:DMM-B 包裝:散裝 零件狀態:有效 保險絲類型:盒 額定電流:440mA 額定電壓 - AC:1000V(1kV) 額定電壓 - DC:1000V(1kV) 響應時間:快速 應用:萬用表 特性:- 類別:- 認可:UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座 封裝/外殼:盒,非標準 大小/尺寸:0.394" 直徑 x 1.374" 長(10.00mm x 34.90mm) 融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:1 DMN3035LWN-7 DMN3042L-13 DMN3042L-7 DMN3042LFDF-13 DMN3042LFDF-7 DMN3050S-7 DMN3051L-7 DMN3051LDM-7 DMN3052L-7 DMN3052LSS-13 DMN3053L-13 DMN3053L-7 DMN3055LFDB-13 DMN3055LFDB-7 DMN3065LW-13 DMN3065LW-7 DMN3067LW-13 DMN3067LW-7
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