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DMN3150L-7-F

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說明
操作

DMN3150L-7-F
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業執照
3000
DIODES
SOT 23
18+
-
專注型號,長期有貨

DMN3150L-7-F/31N
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
DIODES
SOT23-3
22+
-
全新原裝現貨供應

DMN3150L-7-F
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
DIODES
SOT23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

DMN3150L-7-F
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
DIODES
SOT23
15+
-
原裝正品，假一罰十

DMN3150L-7-F
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
3006
DIODES
SOT23-3
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！

DMN3150L-7-F/31N
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
12005
DIODES
SOT23-3
1529
-
原裝現貨/特價

DMN3150L-7-F
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
3000
DIODES
SOT-23
2012+
-
只做原裝正品。

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1

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DMN3150L-7-F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DMN3150L-7-F 技術參數

DMN3052LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:555pF @ 5V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.21A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標準包裝:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）配對電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:3,000 DMN32D2LV-7 DMN32D4SDW-13 DMN32D4SDW-7 DMN3300U-7 DMN33D8LDW-13 DMN33D8LDW-7 DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-7 DMN3404L-7 DMN3730U-7 DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB-7 DMN3900UFA-7B DMN4008LFG-13 DMN4008LFG-7 DMN4009LK3-13 DMN4010LFG-13 DMN4010LFG-7

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