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DMNH4005SPSQ-13

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  • DMNH4005SPSQ-13
    DMNH4005SPSQ-13

    DMNH4005SPSQ-13

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 11813

  • Diodes Incorporated

  • PowerDI5060-8

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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DMNH4005SPSQ-13 技術(shù)參數(shù)
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMNH4026SSD-13 DMNH4026SSDQ-13 DMNH6008SCT DMNH6008SCTQ DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPSQ-13 DMNH6012LK3-13 DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012SPS-13 DMNH6012SPSQ-13 DMNH6021SK3-13 DMNH6021SK3Q-13 DMNH6021SPD-13 DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPS-13 DMNH6021SPSQ-13 DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSDQ-13
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免責(zé)聲明：以上所展示的DMNH4005SPSQ-13信息由會(huì)員自行提供，DMNH4005SPSQ-13內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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