欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > D字母型號搜索 > D字母第1719頁 >

DMP3056LSDQ-13

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DMP3056LSDQ-13
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES/美臺
SO8
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

DMP3056LSDQ-13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Diodes Incorporated
8-SOIC（0.154"，3.90mm
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

DMP3056LSDQ-13
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
2500
DIODES INC.
價格優(yōu)勢
2442
-
全新原裝渠道現貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： DMP3056LSS-13 DMP3065LVT-13 DMP3065LVT-7 DMP3068L-13 DMP3068L-7 DMP3085LSD-13 DMP3085LSS-13 DMP3098L-7 DMP3098LDM-7

DMP3056LSDQ-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DMP3056LSDQ-13 PDF下載

制造商
Diodes Incorporated
功能描述
DIODE - Tape and Reel

DMP3056LSDQ-13 技術參數

DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PowerDI5060-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 6.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:U-DFN2020-6（E 類）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 DMP3098LQ-7 DMP3098LSD-13 DMP3098LSS-13 DMP3099L-13 DMP3099L-7 DMP3100L-7 DMP3105LVT-7 DMP3120L-7 DMP3130L-7 DMP3130LQ-7 DMP3160L-7 DMP31D0U-7 DMP31D0UFB4-7B DMP32D4S-13 DMP32D4S-7 DMP32D4SFB-7B DMP32D4SW-7 DMP32D5LFA-7B