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DS1230W-100-IND

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DS1230W-100-IND
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
7866
DALLAS
DIP28-600
10+
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DS1230W-100-IND PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DS1230W-100-IND 技術參數

DS1230W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230ABP-70IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230ABP-70IND 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-120+ DS1230Y-120IND DS1230Y-120IND+ DS1230Y-150 DS1230Y-150+ DS1230Y-200 DS1230Y-200+ DS1230Y-200IND DS1230Y-200IND+ DS1230Y-70 DS1230Y-70+ DS1230Y-70IND DS1230Y-70IND+ DS1230Y-85 DS1230Y-85+ DS1230YP-100 DS1230YP-100+ DS1230YP-70