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DS1986-F5

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DS1986-F5
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
DALLAS
F5iButton
最新批次
-
質量保障假一罰十

DS1986-F5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
MAX
原廠封裝
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

DS1986-F5
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質：營業執照
4200
Dallas
PDIP
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

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1

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DS1986-F5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DS1986-F5 PDF下載

功能描述
iButton
RoHS
否
存儲類型
SRAM
存儲容量
512 B
組織
工作電源電壓
3 V to 5.25 V
接口類型
1-Wire
最大工作溫度
+ 85 C
尺寸
17.35 mm x 5.89 mm
封裝 / 箱體
F5 MicroCan
制造商
Maxim Integrated

DS1986-F5 技術參數

DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:207 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標準包裝:1 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R DS1E-ML2-DC3V