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參數資料
| 型號： | D1018 |
| 廠商： | TT electronics Semelab Limited |
| 英文描述： | METAL GATE RF SILICON FET |
| 中文描述： | 金屬門射頻硅場效應管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 17K |
| 代理商： | D1018 |
D1018UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 10/95
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
* Per Side
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage *
Gate – Source Breakdown Voltage *
Drain Current *
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
250W
70V
±20V
15A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
A
B
G
O
I
E
(2 pls)
F
J
Typ.
K
N
Q
M
D
C
P
H
1
3
2
4
8
6
7
5
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
100W – 28V – 500MHz
PUSH–PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DD
PIN 1
PIN 3
PIN 5
PIN 7
SOURCE (COMMON)
DRAIN 2
SOURCE (COMMON)
GATE 1
PIN 2
PIN 4
PIN 6
PIN 8
DRAIN 1
SOURCE (COMMON)
GATE 2
SOURCE (COMMON)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 500 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
mm
9.14
12.70
45°
6.86
0.76
9.78
19.05
4.19
3.17
1.52R
1.65R
16.51
22.86
0.13
6.35
10.77
Tol.
0.13
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.64
0.13
Inches
0.360
0.500
45°
0.270
0.030
0.385
0.750
0.165
0.125
0.060R
0.065R
0.650
0.900
0.005
0.250
0.424
Tol.
0.005
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.025
0.005
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| D10191 | 功能描述:大功率LED - 單色 Royal Blue 1 Watt PCB RoHS:否 制造商:Cree, Inc. 照明顏色:Blue 波長:465 nm 光強度: 光通量/輻射通量:500 mW 正向電流:350 mA 正向電壓:3.1 V 安裝風格:SMD/SMT 功率額定值: 系列:XB-D 封裝:Reel |
| D10192 | 功能描述:大功率LED - 單色 Royal Blue 1 Watt Star PCB RoHS:否 制造商:Cree, Inc. 照明顏色:Blue 波長:465 nm 光強度: 光通量/輻射通量:500 mW 正向電流:350 mA 正向電壓:3.1 V 安裝風格:SMD/SMT 功率額定值: 系列:XB-D 封裝:Reel |
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