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參數資料
型號: D1204
廠商: TT electronics Semelab Limited
英文描述: METAL GATE RF SILICON FET
中文描述: 金屬門射頻硅場效應管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 14K
代理商: D1204
D1204UK
Prelim. 1/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website
http://www.semelab.co.uk
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
117W
40V
±20V
15A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
30W – 12.5V – 500MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
USEFUL P
O
AT 1GHz
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
B
C
A
D
(2 pls)
E
F
G
H
I
J
K
M
N
1
4
3
2
5
DT
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 3
SOURCE (COMMON)
PIN 5
DRAIN
PIN 2
GATE
PIN 4
SOURCE (COMMON)
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
Tol.
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
MAX
0.38
0.13
0.13
0.03
0.13
0.13
0.25
Inches
0.250 DIA
0.125 DIA
0.725
0.215
0.205
0.300
0.850
0.155
0.500
0.005
0.975
0.102
0.160
Tol.
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
MAX
0.015
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
0.010
6.35 DIA
3.17 DIA
18.41
5.46
5.21
7.62
21.59
3.94
12.70
0.13
24.76
2.59
4.06
相關PDF資料
PDF描述
D1204UK METAL GATE RF SILICON FET
D1207UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(20W-12.5V-1GHz,推挽式))
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D120505NS-1W 制造商:MORNSUN 制造商全稱:MORNSUN 功能描述:TWIN OUTPUT DC-DC CONVERTER
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