- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄357736 > D44H10J69Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | D44H10J69Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | D44H10J69Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D44H5 | 10 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| D44VM4-DR6274 | 8 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| D4SBU20 | 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| D50P90C4PX00 | 50 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, PRESS FIT |
| D50P90C6PX00 | 50 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, PRESS FIT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D44H10TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| D44H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| D44H11 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NPN TRANSISTOR |
| D44H11E3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor |
| D44H11FP | 功能描述:TRANS NPN 80V 10A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。