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參數資料
| 型號： | D44H11 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（10A條,30 - 80V的，50瓦） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | D44H11 |
A
Boca Semiconductor Corp.
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D45H1 | POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
| D45H10 | POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
| D45C11 | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
| D45C12 | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
| D45C2 | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D44H11 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NPN TRANSISTOR |
| D44H11E3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor |
| D44H11FP | 功能描述:TRANS NPN 80V 10A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| D44H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| D44H11J3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor |
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