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參數資料
| 型號： | D45C3 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（4A條,30 - 80V的，功率30W） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | D45C3 |
A
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D45C4 | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
| D45C5 | POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
| D44H1 | Card Edge Connector; No. of Contacts:56; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes |
| D44H10 | POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
| D45H11 | POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D45C4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| D45C5 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 220 4 Amp Silicon Transistor |
| D45C6 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 220 4 Amp Silicon Transistor |
| D45C7 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| D45C8 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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