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參數資料
| 型號： | DA112S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | DIODE ARRAY |
| 中文描述： | 二極管陣列 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | DA112S |
DA108S1
DA112S1
SO8
ARRAYOF8OR12DIODES
LOWINPUT CAPACITANCE
SUITABLEFOR DIGITALLINE PROTECTION
FEATURES
ARRAY of 8 or 12 diodes configuredby cells of 2
diodes,each cell being used to protectsignal line
fromtransientovervoltagesby clamping action.
DESCRIPTION
FUNCTIONALDIAGRAM : DA108S1
March 1998 - Ed:4
DIODE ARRAY
1
2
3
4
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
8
7
6
5
I/O 5
REF 2
I/O 6
REF 1
Application Specific Discretes
A.S.D.
TM
FUNCTIONALDIAGRAM : DA112S1
1
2
3
4
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
8
7
6
5
REF 2
REF 1
REF 2
REF 1
Protectionof logicsideof ISDNS-interface.
Protectionof I/Olinesof microcontroller.
Signal conditioning.
APPLICATION
IEC1000-4-22level 4:
15kV(air discharge)
8kV(contact discharge)
COMPLIESWITH FOLLOWINGSTANDARDS :
1/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DA112S1 | DIODE ARRAY |
| DA11403508 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 350A I(C) |
| DA11503008 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 300A I(C) |
| DB12408005 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 800A I(C) |
| DB12508004 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 800A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DA112S1 | 功能描述:整流器 12 Diode Array RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DA112S1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE ARRAY TVS |
| DA112S1RL | 功能描述:整流器 12 Diode Array RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DA-1136 | 制造商:GC Electronics 功能描述: |
| DA114 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Ultra high-speed switching diode arrays |
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