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高能效比電容供電電路設(shè)計(jì)
Fairchild推出超緊密薄型封裝高性能MicroFET MOSFET系列產(chǎn)品
英飛凌推出TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC肖特基二極管
采用PIN二極管解決寬帶射頻開關(guān)問題
英飛凌推出PrimePACK 3封裝的緊湊式IGBT模塊
Vishay新型IHLP薄型高電流電感器最大頻率高達(dá)1MHz
是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果
濾波、去耦、旁路電容的作用
安森美針對(duì)便攜應(yīng)用推出新微封裝的晶體管和二極管系列
Vishay推新型超高精度Z箔（Z Foil）表面黏著電流感應(yīng)芯片電阻
Vishay推出采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的功率MOSFET
陶瓷PTC與有機(jī)PTC的性能比較
自動(dòng)消磁PTC熱敏電阻應(yīng)用原理
穩(wěn)壓二極管1Z系列參數(shù)
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穩(wěn)壓二極管1N47系列參數(shù)
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體波石英晶體元件的功率消耗
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Vishay發(fā)布可滿足宇航級(jí)應(yīng)用的TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容
IDT推出具有多相位控制器和電感耦合技術(shù)
鋁電解電容選型參數(shù)
Vishay推出新款小尺寸、高電流電感器
光敏電阻器及其類型、主要參數(shù)
解讀電容的具體模型和分布參數(shù)
三極管9013管腳圖以及參數(shù)
PI全新CAPZero IC可對(duì)X電容自動(dòng)安全放電
IR發(fā)布二款DirectFET MOSFET芯片組
ST推出新的高效能系列功率整流二極管
Vishay為MC AT薄膜電阻推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸器件
安森美半導(dǎo)體集成肖特基二極管的30V MOSFET問世
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
特瑞仕超小型封裝0603尺寸的肖特基二極管
理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
Diodes推出PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品系列
力特推出高性能四通道二極管陣列系列
意法推出獨(dú)創(chuàng)的符合國際電涌保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的硅保護(hù)二極管
DWS-P型氯化鋰濕敏電阻器參數(shù)
電容器的檢測(cè)方法與更換
恩智浦推出新一代高效率低VCEsat晶體管
場效應(yīng)管放大電路原理及應(yīng)用
程控單結(jié)晶體管（PUT）應(yīng)用及原理
OTL功放電路中的自舉電容原理
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
晶閘管的主要電參數(shù)
在設(shè)計(jì)中嵌入電容性觸摸按鍵、滑塊和滑輪
Vishay發(fā)布內(nèi)置熔絲的低ESR固鉭貼片電容器TF3
電解電容主要技術(shù)參數(shù)
Vishay螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種尺寸
Vishay小尺寸100V勢(shì)壘肖特基整流器典型VF低至0.56V
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