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世界納米科技、材料的研發戰略重點及趨勢（3）
納米電子器件中的噪聲及其應用研究
多元聲音：激光研究應材料先行
Si1-xGex/SOI材料的基本性質與應用前景
第三代半導體材料GaN產業現狀和投資機會
LED臨淡季 業績爬升有阻力
GaN材料的特性與應用
三維光子晶體的可調缺陷模式
半導體材料研究的新進展
光子晶體的結構及分類
10Gb/s光收發模塊封裝技術
IC封裝企業的質量管理
醇鹽水解沉淀法制備二氧化硅納米粉
新型的生產工藝和器件
硫化物納米管及其研究進展
國外納米技術新突破
納米科技路迢迢目前全球各國仍處研發階段
激光定域晶化技術制備納米硅的研究
顆粒碰撞失效分析
日本納米科技相關專利分析
CdS納米粒子的合成方法
用納米粉制備厚膜敏感陶瓷材料
PECVD形成納米級薄膜界面陷阱特性的雪崩熱電子注入研究
濺射法制備納米薄膜材料及進展
納米技術、材料的 未來發展趨勢
納米器件的一種新制造工藝——納米壓印術
稀土La自組裝納米膜的制備及表征
銅鉬化合物氫還原制備銅鉬復合粉研究
納米金屬氧化物空心球的制備(續)
納米氣體敏感材料的噴射共沉淀法制備及特性
p型GaN歐姆接觸的研究進展
納米金屬材料：進展和挑戰
低溫共燒陶瓷——一種理想的微波材料
2012年半導體產業將進入18英寸硅圓時代
SiC單晶生長
碳化硅寬帶隙半導體材料生長技術及應用
新型低介電常數材料研究進展
管式電爐合成氮化鎵晶粒的研究
sic半導體技術
半導體材料概述
光輻照對MgB2超導體電子結構的影響
熱釋電薄膜單片式非致冷紅外焦平面陣列的研究
“開發45nm以后LSI工藝材料”JSR建成新無塵操作廠房
電子陶瓷新材料在手機上新用處
擴散爐現狀與展望
T46X型硒鎵銀單晶爐的研制
光刻機的匹配和調整
GE材料為電子設備提供卓越導熱性能
淺談兩種新型干燥爐傳動系統的設計特點
0．2-1μm IC生產線中二手Stepper解決方案
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