- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376630 > DE150-102N02-00 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | DE150-102N02-00 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 1KV交五（巴西）直|甲（丁） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | DE150-102N02-00 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DE375-102N30-00 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 30A I(D) |
| DE375-301N40-00 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) |
| DE150-201N09A | RF Power MOSFET |
| DE150-501N04A | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET |
| DE16CB100 | Tapped Delay Line |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DE150-102N02A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET |
| DE150-201N09-00 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) |
| DE150-201N09A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:RF Power MOSFET |
| DE150-501N04-00 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) |
| DE-150-501N04A | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 6-Pin |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。