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參數(shù)資料
型號: DF10S
廠商: GE Security, Inc.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
中文描述: 微型玻璃鈍化單相橋式整流器表面貼裝
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 33K
代理商: DF10S
D
DF005S-DF10S, Rev. A
DF005S - DF10S
1.5 Ampere Bridge Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
**
Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm).
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
Surge overload rating: 50 amperes
peak.
Glass passivated junction.
Low leakage.
Parameter
Device
Units
005S
50
35
50
01S
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage,
total bridge @ rated V
R
T
A
= 25
°
C
(Rated V
R
)
T
A
= 125
°
C
5.0
500
μ
A
μ
A
Maximum Forward Voltage Drop,
per bridge
I
t rating for fusing
Typical Junction Capacitance, per leg
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
@ 1.0 A
t < 8.35 ms
1.1
10
25
V
A
2
Sec
pF
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
@ T
A
= 40
°
C
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half-sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
1.5
A
i
f(surge)
50
A
P
D
3.1
25
40
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
T
stg
T
J
-55 to +150
-55 to +150
SDIP
0.060 (1.524)
0.040 (1.016)
+
0.135 (3.429)*
0.115 (2.921)*
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.410 (10.414)
0.360 ( 9.144)
0.310 (7.874)
0.290 (7.366)
0.009 (0.229)
Typical
0.205 (5.207)
0.195 (4.953)
0.042 (1.067)
0.038 (0.965)
0.255 (6.477)
0.245 (6.223)
0.335 (8.509)
0.320 (8.128)
LOW PROFILE ALSO AVAILABLE
BODY - - 0.102 (2.591)*
0.095 (2.413)*
Dimensions are in:
inches (mm)
Discrete POWE R & Signal
Technologies
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