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參數資料
| 型號： | DG211B |
| 英文描述： | Improved Quad CMOS Analog Switches(119.41 k) |
| 中文描述： | 改進的四CMOS模擬開關（119.41十一） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | DG211B |
DG211B/212B
6
Siliconix
S-52896—Rev. F, 14-Jul-97
Test Circuits
Figure 2.
Switching Time
50%
0 V
3 V
t
OFF
t
ON
V
O
t
r
<20 ns
t
f
<20 ns
Logic
Input
Switch
Output
90%
C
L
35 pF
R
L
1 k
V
O
= V
S
R
L
+ r
DS(on)
R
L
V
S
= +2 V
V
O
V–
V+
IN
S
D
3 V
–15 V
GND
+15 V
Figure 3.
Off Isolation
S
IN
R
L
D
R
g
= 50
V
S
V
O
0V, 2.4 V
Off Isolation = 20 log
V
S
V
O
V+
–15 V
GND
V–
C
C
+15 V
IN
1
0V, 2.4 V
V
O
+15 V
–15 V
GND
R
L
V+
V–
NC
X
TALK
Isolation = 20 log
C
V
S
V
O
C
0V, 2.4 V
50
V
S
S
1
IN
2
S
2
R
g
= 50
D
1
D
2
C = RF bypass
Figure 4.
Channel-to-Channel Crosstalk
Figure 5.
Charge Injection
C
L
1000 pF
V
g
3 V
D
V+
V–
R
g
–15 V
GND
IN
S
V
O
+15 V
V
O
V
O
IN
X
ON
ON
OFF
V
O
= measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is Q = C
L
x V
O
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