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參數資料
型號: DG213DQ
英文描述: Quad Complementary CMOS Analog Switch
中文描述: 四互補CMOS模擬開關
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 98K
代理商: DG213DQ
DG213
6
Siliconix
S-56461—Rev. C, 29-Dec-97
Test Circuits (Cont’d)
Figure 3.
Break-Before-Make
0 V
V
S1
Logic
Input
Switch
Output
Switch
Output
3 V
50%
0 V
V
S2
0 V
90%
V
O2
V
O1
90%
t
D
t
D
V
O2
C
L
(includes fixture and stray capacitance)
V+
S
2
V–
S
1
IN
1
V
L
V
S2
IN
2
D
2
V
S1
R
300 k
D
1
V
O1
C
L2
35 pF
–15 V
GND
+5 V
+15 V
R
L1
1 k
C
L1
35 pF
Figure 4.
Off Isolation
S
IN
R
L
D
R
g
= 50
V
S
V
O
0V, 2.4 V
Off Isolation = 20 log
V
S
V
O
V+
–15 V
GND
V–
C
C
+15 V
IN
1
0V, 2.4 V
V
O
+15 V
–15 V
GND
R
L
V+
V–
NC
X
TALK
Isolation = 20 log
C
V
S
V
O
C
0V, 2.4 V
50
V
S
S
1
IN
2
S
2
R
g
= 50
D
1
D
2
C = RF bypass
Figure 5.
Channel-to-Channel Crosstalk
Figure 6.
Charge Injection
C
L
1000 pF
V
g
3 V
D
V+
V–
R
g
–15 V
GND
IN
S
V
O
+15 V
V
O
V
O
IN
X
ON
ON
OFF
V
O
= measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is Q = C
L
x V
O
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